IQD石英晶體LFXTAL082130REEL的老化原因
石英晶體的“老化”會(huì)導(dǎo)致頻率隨時(shí)間發(fā)生微小變化，客戶在設(shè)計(jì)電路時(shí)可能需要根據(jù)需要達(dá)到的總體規(guī)格考慮這種影響。石英晶振晶體老化的主要原因有兩個(gè)，一個(gè)是由于傳質(zhì)，另一個(gè)是應(yīng)力。

傳質(zhì)

器件封裝內(nèi)的任何不需要的污染都可能將材料轉(zhuǎn)移到晶體或從晶體轉(zhuǎn)移材料，從而導(dǎo)致石英坯料的質(zhì)量變化，從而改變器件的頻率。例如，用于安裝石英坯料的導(dǎo)電環(huán)氧樹脂可能會(huì)產(chǎn)生“排氣”，這可能會(huì)在密封晶體封裝內(nèi)的惰性氣氛中產(chǎn)生氧化材料，因此必須很好地控制這一生產(chǎn)過程。理想情況下，制造方法盡可能干凈，以消除任何影響并產(chǎn)生良好的老化效果。

強(qiáng)調(diào)

這可能發(fā)生在晶體的各種成分中，包括石英坯料的加工、環(huán)氧樹脂安裝粘合劑的固化、晶體安裝結(jié)構(gòu)和器件中使用的金屬電極材料的類型。加熱和冷卻也會(huì)由于不同的膨脹系數(shù)而產(chǎn)生應(yīng)力。當(dāng)系統(tǒng)放松時(shí)，系統(tǒng)中的應(yīng)力通常會(huì)隨著時(shí)間的推移而變化，這可能會(huì)導(dǎo)致頻率的變化。

實(shí)踐中的老齡化

當(dāng)觀察晶體的老化測(cè)試結(jié)果時(shí)，可以看出頻率的變化通常在第一年最大，并隨著時(shí)間的推移而衰減。然而，必須注意的是，例如，如果設(shè)備規(guī)定為每年最大±5ppm；這并不意味著5年后的老化將是±5ppm×5年，即±25ppm。在實(shí)踐中，示例中的±5ppm老化裝置在運(yùn)行的第一年可能僅為±1ppm至±2ppm貼片晶振，然后在隨后的幾年中減少。通常使用一般的“指南”來衡量10年內(nèi)最大±10ppm的晶體老化，盡管事實(shí)上通常遠(yuǎn)低于此。無法預(yù)測(cè)設(shè)備的確切老化，因?yàn)榧词故窃谕粫r(shí)間由同一批石英制成的零件也會(huì)表現(xiàn)出略有不同的老化特性。
生產(chǎn)過程必須從一個(gè)零件到另一個(gè)零件保持一致，從石英坯料的制造、電極尺寸及其放置，到用于安裝石英的環(huán)氧樹脂及其固化熱輪廓，所有這些都會(huì)對(duì)頻率產(chǎn)生輕微影響。根據(jù)內(nèi)部原因，設(shè)備可能會(huì)出現(xiàn)負(fù)老化或正老化，盡管同一批次的零件往往會(huì)出現(xiàn)類似的結(jié)果。一般來說，超過90%的制造零件的老化效應(yīng)是負(fù)面的

加速老化

通常的行業(yè)慣例是，通過在高溫下浸泡設(shè)備并在相關(guān)時(shí)間間隔測(cè)量頻率移動(dòng)，使用加速老化過程來預(yù)測(cè)長(zhǎng)期頻率移動(dòng)。使用被動(dòng)測(cè)試（即無電源測(cè)試）測(cè)試晶體是正常的。使用的一般規(guī)則是，將晶體在+85°C下浸泡30天相當(dāng)于在正常室溫下老化1年。如果該測(cè)試延長(zhǎng)足夠的時(shí)間，則可以用圖形繪制記錄的數(shù)據(jù)，以便通過外推法預(yù)測(cè)未來的長(zhǎng)期老化。

頻率調(diào)整

請(qǐng)注意，進(jìn)口晶振石英的老化有效地改變了晶體的頻率容差，并且不會(huì)在很大程度上直接影響石英在溫度下的穩(wěn)定性，因?yàn)樵搮?shù)由所用石英的“切角”決定。如果使用具有電壓控制功能的石英振蕩器，如VCXO、TCXO或OCXO，則可以將輸出頻率調(diào)整回其標(biāo)稱指定值

設(shè)計(jì)

使用晶體或振蕩器設(shè)計(jì)電路的工程師通常會(huì)知道他們的設(shè)備在特定時(shí)間段內(nèi)必須達(dá)到的總體穩(wěn)定性數(shù)字。隨著器件的公差和/或穩(wěn)定性降低，老化就變得更加重要。例如，使用溫度穩(wěn)定性為±1ppm的TCXO將需要將老化保持在相對(duì)較小的值。然而，如果設(shè)計(jì)的總頻率移動(dòng)容限為±200ppm，并且使用了額定值為±100ppm的設(shè)備，則可以有效地忽略少量老化。

制造商零件編碼	制造商	晶振系列	描述
LFXTAL059597REEL	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 32.0000MHZ 10PF SMD
LFXTAL081613REEL	IQD晶振	IQXC-26	CRYSTAL 32.0000MHZ 8PF SMD
LFXTAL082130REEL	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 37.4000MHZ 8PF SMD
LFXTAL082125REEL	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 25.0000MHZ 8PF SMD
LFXTAL073170REEL	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 32.0000MHZ 10PF SMD
LFXTAL082127REEL	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 27.1200MHZ 8PF SMD
LFXTAL069527REEL	IQD晶振	IQXC-26	CRYSTAL 40.0000MHZ 8PF SMD
LFXTAL059627REEL	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 38.4000MHZ 10PF SMD
LFXTAL081620REEL	IQD晶振	IQXC-26	CRYSTAL 48.0000MHZ 8PF SMD
LFXTAL081610REEL	IQD晶振	IQXC-26	CRYSTAL 27.0000MHZ 8PF SMD
LFXTAL081608REEL	IQD晶振	IQXC-26	CRYSTAL 24.0000MHZ 8PF SMD
LFXTAL069526REEL	IQD晶振	IQXC-26	CRYSTAL 32.0000MHZ 8PF SMD
LFXTAL082131REEL	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 38.4000MHZ 8PF SMD
LFXTAL082129REEL	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 32.0000MHZ 8PF SMD
LFXTAL059596REEL	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 30.0000MHZ 10PF SMD
LFXTAL051643REEL	IQD晶振	IQXC-25	CRYSTAL 32.7680KHZ 9PF SMD
LFXTAL071262REEL	IQD晶振	IQXC-42 AUTO	CRYSTAL 32.0000MHZ 10PF SMD
LFXTAL050789REEL	IQD晶振	IQXC-25	CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD
LFXTAL081612REEL	IQD晶振	IQXC-26	CRYSTAL 30.0000MHZ 8PF SMD
LFXTAL081614REEL	IQD晶振	IQXC-26	CRYSTAL 26.0000MHZ 8PF SMD
LFXTAL059632REEL	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 40.0000MHZ 10PF SMD
LFXTAL078377REEL	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 26.0000MHZ 12PF SMD
LFXTAL081781REEL	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 16.0000MHZ 8PF SMD
LFXTAL069493REEL	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 24.0000MHZ 10PF SMD
LFXTAL072543REEL	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 27.0000MHZ 10PF SMD
LFXTAL072541REEL	IQD晶振	IQXC-26	CRYSTAL 27.0000MHZ 8PF SMD
LFXTAL071266REEL	IQD晶振	IQXC-42 AUTO	CRYSTAL 48.0000MHZ 10PF SMD
LFXTAL069494REEL	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 25.0000MHZ 10PF SMD
LFXTAL082132RL3K	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 40.0000MHZ 8PF SMD
LFXTAL059591REEL	IQD晶振	IQXC-42	CRYSTAL 26.0000MHZ 10PF SMD