應用案例
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貼片晶振 SMD Crystal -
石英晶振 Quartz crystal -
圓柱晶振 KHZ Crystal -
聲表面諧振器|濾波器 SAW Resonator -
陶瓷晶振 Ceramic Resonator -
陶瓷濾波器 Ceramic Filte -
陶瓷霧化片 Atomization piece -
NJR晶振 NJR CRYSTAL -
日本大真空晶振 KDS crystal -
愛普生石英晶振 EPSON Crystal -
西鐵城晶體 CITIZEN Crystal -
精工晶體 SEIKO Crystal -
村田陶瓷諧振器 muRata Crystal -
京瓷貼片晶振 -
NDK石英晶振 NDK CRYSTAL -
CTS晶振 CTS石英晶振 -
大河晶振 日本大河晶體 -
TXC石英晶振 臺灣晶技 -
泰藝石英晶振 泰藝SMD晶體 -
鴻星貼片晶振 HOSONIC -
加高石英晶振 加高石英晶體諧振器 -
臺灣亞陶晶振 亞陶石英晶振 -
NAKA晶振 NAKA晶振 -
SMI晶振 -
AKER晶振 AKER晶振 -
NKG晶振 NKG CRYSTAL -
ABRACON晶振 艾博康晶振 -
VECTRON晶振 維管晶振 -
JAUCH晶振 JAUCH CRYSTAL -
ConnorWinfield晶振 康納溫菲爾德晶振 -
Rakon晶振 瑞康晶振 -
ECS晶振 伊西斯晶振 -
CTS晶振 西迪斯晶振 -
GREENRAY晶振 格林雷晶振 -
ECLIPTEK晶振 日蝕晶振 -
GOLLEDGE晶振 高利奇晶振 -
STATEK晶振 斯塔克晶振 -
Pletronics晶振 普銳特晶振 -
SITIME晶振 可編程晶振 -
Microcrystal晶振 瑞士微晶晶振 -
DIODES晶振 百利通亞陶晶振 -
RALTRON晶振 拉隆晶振 -
AEK晶振 安克晶振 -
AEL晶振 艾爾晶振 -
ILSI晶振 艾爾西晶振 -
FOX晶振 ?？怂咕д?/strong> -
fujicom晶振 富士通晶振 -
CRYSTEK晶振 瑞斯克晶振 -
Geyer晶振 格耶電子 -
quartzcom晶振 康泰克晶振 -
EUROQUARTZ晶振 歐洲石英晶振 -
quarztechnik晶振 夸克晶振 -
Cardinal晶振 卡迪納爾晶振 -
FRE-TECH晶振 弗萊特晶振 -
KVG晶振 KVG CRYSTAL -
wi2wi晶振 威爾威晶振 -
Transko晶振 特蘭斯科晶振 -
suntsu晶振 松圖晶振 -
mmdcomp晶振 麥迪康晶振 -
MERCURY晶振 瑪居禮晶振 -
MTRONPTI晶振 麥特倫皮晶振 -
qantek晶振 qantek晶振 -
IDT晶振 IDT CRYSTAL -
ACT CRYSTAL ACT CRYSTAL -
mti-milliren crystal -
Lihom晶振 Lihom晶振 -
Rubyquartz晶振 -
OSCILENT晶振 OSCILENT晶振 -
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Shinsung晶振 -
CTECH晶振 -
IQD晶振 IQD CRYSTAL -
Microchip晶振 Microchip CRYSTAL -
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Fortiming晶振 Fortiming CRYSTAL -
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AXTAL晶振 AXTAL crystal -
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ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業提供和設計波段頻率控制設備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經營者的踏實,誠懇的態度,互惠互利的精神,實現共贏的目標,以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質量第一,客戶滿意的經營理念,將以優良的產品質量,優惠的價格,優質的服務與您建立長期穩定的合作關系,共創輝煌事業.
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Renesas瑞薩晶振
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SKYWORKS晶振
- 產品型號：62680522
- 晶振頻率：24.000~50.000MHZ
- 晶振尺寸：2.0*1.2*0.6mm 詳細資料參考PDF
- 產品應用： 貼片石英晶振最適合用于車載電子領域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時鐘部分簡稱為時鐘晶體振蕩器,在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞...
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Microcrystal晶振,CC8A-T1A晶振,AT切晶振
微晶晶振環?；纠砟睿?br />
1.作為良好的企業市民,遵循本公司的行動方針,充分關心維護地球環境.遵守國內外的有關環保法規.2.保護自然環境,充分關注自然生態等方面的環境保護,維持和保全生物多樣性.
3.有效利用石英晶體,貼片晶振材料資源和能源,認識到資源和能源的有限性,努力進行石英晶振,有源晶體振蕩器,水晶振蕩子等原材料的有效利用.
4為構建循環型社會做出貢獻,致力于減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環,努力構建循環型社會.
5.推進晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環保型業務,充分發揮綜合實力,推進環保型業務,為減輕社會的環境負荷做出貢獻.
6.建立環境管理系統,充分運用環境管理系統,設定環境目的和目標,定期修正,不斷改善,努力預防環境污染.
Microcrystal晶振,CC8A-T1A晶振,AT切晶振，頻率24 – 50MHZ，封裝尺寸：2.0*1.2*0.6mm
| 微晶晶振規格 | 單位 | CC8A-T1A晶振 | 石英晶振基本條件 |
| 標準頻率 | f_nom | 24 – 50MHZ | 標準頻率 |
| 儲存溫度 | T_stg | -55°C ～ +125°C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -40°C ～ +85°C | 標準溫度 |
| 激勵功率 | DL | 250μW Max. | 推薦:1μW ～ 100μW |
| 頻率公差 | f_— l |
±50 × 10-6 (標準), (±50 × 10-6 ～ ±100 × 10-6 可用) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://m.zpkwn.cn |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±50 × 10-6/-20°C ～ +70°C | 超出標準的規格請聯系我們. |
| 負載電容 | CL | 3.0 / 9.0 / 16.0PF | 不同負載電容要求,請聯系我們. |
| 串聯電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±3 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
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鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用產品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞產品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。
在設計時
機械振動的影響
當晶體產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時，比如：壓電揚聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會受到影響。
這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管晶體產品設計可最小化這種機械振動的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
PCB設計指導
(1) 理想情況下，機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時，機械振動程度有所不同。建議遵照內部板體特性。
(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時，按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。.jpg)
質量政策
微晶晶體振蕩器術語及應用說明
標稱頻率：晶體振蕩器的中心或標稱輸出頻率。
封裝：晶體振蕩器從引腳通孔到表面貼裝類型封裝成各種類型。各種尺寸和功能適用于不同的應用。
頻率容差：在室溫下以百萬分率（ppm）表示的與標稱頻率的偏差。（25°±5°C）
頻率范圍：振蕩器類型或型號可提供的頻段。
頻率穩定度：相對于在溫度窗口25°C時測得的頻率（即0°C至+ 70°C）的最大允許頻率偏差。典型穩定度為±0.01％（±100 ppm）。
工作溫度：輸出頻率和其他電氣，環境特性符合規格的溫度范圍。
老化：相對頻率在一段時間內發生變化。這種頻率變化率通常是指數性的。通常情況下，最多1年的老化率為±5 ppm。
存儲溫度：在不損壞或改變設備性能的情況下安全存放設備的溫度范圍（未施加電源電壓）。
頻率與電源變化：當電源電壓在指定限制內??變化時，允許的最大頻率變化（典型值±10％Vcc或±5％變化）。
電源電壓（Vdd max）：可以安全施加到Vcc端子相對于地的最大電壓。TTL的最大電源電壓為5.5V，HCMOS的最大電源電壓為6V。
輸入電壓（VIN）：可安全施加到振蕩器任何輸入端的最大電壓。
輸出高電壓（VOH）：正常負載下振蕩器輸出端的最小電壓。
輸出低電壓（VOL）：適當負載下振蕩器輸出端的最大電壓。
電源電流（Icc）：流入Vcc端子的電流相對于地。典型的電源電流在無負載情況下測量
對稱或占空比：輸出波形在特定電平（TTL為1.4V，HCMOS為1 / 2Vcc或ECL為1/2波形峰值電平）時的對稱性。
SYM = TH / T×100（％）; 參見圖1。
上升時間（Tr）：在指定電平（HCMOS，ECL為20％至80％，TTL為0.4V至2.4V）下，從低電平到高電平轉換的波形上升時間。
下降時間（Tf）：在特定電平（HCMOS，ECL為80％至20％，TTL為2.4V至0.4V）下測量的從高電平到低電平轉換的波形下降時間。
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